디지털 세상의 혁신은 초격차 기술의 전자재료로부터 시작됩니다.
Technology-
oriented
Customer-
oriented
High
reliability
삼성SDI는 유,무기 재료 설계 기술을 기반으로 모바일폰, 노트북 등 첨단 기기에 포함된 메모리와 프로세스 칩의 고성능, 고집적화를 구현할 수 있는 반도체 공정의 필수인 소재를 최적화해 제공합니다. 반도체 칩 극미세화로 기존에 보이지 않았던 불순물이 치명적인 단점으로 드러나고 있어 삼성SDI는 우수한 정제 및 Defect 제어 기술로 불순물을 완전히 없애는 것을 개발 중입니다. 반도체 소자의 고기능화로 안정성이 더욱 중요해지고 있습니다. 삼성SDI는 우수한 조성 설계 및 신뢰성 확보 기술을 기반으로 반도체 소자가 수준, 충격 등 외부환경과 손상으로부터 보호될 수 있도록 차별화된 패키징 소재를 제공해 반도체 소자의 안정적인 성능을 구현하고 있습니다.
SOH는 반도체의 미세한 패턴을 구현하기 위한 코팅 재료로, Hardmask의 강직 특성과 선택비를 이용한 깊은 Etch 기능이 특징입니다. 당사의 SOH는 기존 CVD 공정을 Spin Coating 방식으로 단순화하여 공정 간소화, 생산성 향상, 비용 절감 등 반도체 공정기술 발전에 기여하였습니다.
SOD는 반도체 회로 사이를 전기적으로 절연하는 액상 코팅 재료로,
미세 패턴 사이에서 발생하는 기포(Void) 불량을 개선한 低반응성이 특징입니다.
당사의 SOD는 기존 CVD 공정을 Spin Coating 방식으로 단순화하여
공정 간소화, 생산성 향상, 비용 절감 등 반도체 공정기술 발전에 기여하였습니다.
CMP Slurry는 반도체 공정 중 형성되는 단차 등 울퉁불퉁한 Wafer 표면을
화학/기계적으로 평탄화하는 연마제로, 입자와 첨가제의 상호 최적화를 통해
평탄화율 개선, Low Defect 구현이 특징입니다.
당사는 Oxide, Metal (W, Cu), Ceria Slurry를 제품군으로 보유하고 있습니다.
EUV 소재는 반도체의 13.5nm 초미세 패턴을 구현하기 위한 차세대 재료로, 당사는 독자 특허 및 공동 평가를 통해 Photo Resist, Under Layer, Thinner 등을 개발 및 양산하고 있습니다.
CIS-CR 소재는 CMOS Image Sensor의 Pixel 색상을 구현하는 Photo Resist로 가시광선을 R, G, B 中 특정 색상의 빛으로 선택적 추출/변환하는 소재입니다. 당사의 CIS-CR 소재는 고해상도 구현을 위한 미세패터닝이 가능하고 고색재현을 구현하는 동시에 Pixel간 빛의 간섭을 최소화하는 것이 특징입니다.
EMC는 수분/충격 등 외부 환경으로부터 반도체 칩을 보호하고 칩 작동시 발생하는 열을 외부로 효과적으로 방출해주는 열경화성 소재입니다. 당사의 EMC는 반도체 패키지 구조의 복잡화/경박화에 따라, DRAM/NAND/Foundry向 맞춤 소재를 제공하고 있습니다.
PID는 차세대 대면적 패키지 구조 중 금속 배선층 사이의 절연막을 구성하는 감광성 패터닝 절연재로, 높은 해상도, 내열성, 내화학성이 특징입니다. 당사 PID는 고객의 다양한 패키지 구조에 맞춘 소재를 개발하고 있습니다.
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